功率器件MOSFET作为一种在开关电源新产品研发过程中不可或缺的重要元件，历来是新人工程师开始接触电源设计时的学习重点之一，而弄清楚MOSFET的导通和关断过程则是重中之重。本文将会就功率MOSFET的导通和关断过程进行详细分析和总结。

想要弄清楚MOSFET的导通和关断过程，首先需要做的一个步骤就是建立一个基础的MOSFET电路模型。本文所建立的MOSFET开关模型，主要体现的是低导通值MOSFET寄生参数：G、D、S间的电容，CGS，CGD，CDS用于分析驱动过程；DS间的寄生三极管，分析漏极扰动对MOSFET的影响：一是内部三极管导通而雪崩，二是CGD耦合引起门极电位上升，使MOSFET误导通。

在本文所建立的这一MOSFET参考模型中，模型内所描述的体内寄生三极管中还特别包含一个重要的寄生器件，体二极管。体二极管是MOSFET制成工艺中产生的不可避免的副产品，它和普通的PN结型二极管一样有难以克服的反向恢复时间tf。在高速同步整流应用中，tf直接影响开关管的性能和损耗。

 MOSFET开关模型