米勒效应这个名词对于很多电子工程师来说，恐怕都不会陌生。作为一种会导致开通损耗时间增长的效应现象，它是由米勒电容所引发的，将会对MOS管的正常工作运行造成不利影响。本文将会针对该效应现象进行简要分析，一起来看看这种令人头痛的效应现象在栅极驱动过程中都会造成哪些损害吧。

在MOS管的日常工作过程中，其栅极驱动过程可以理解为驱动源对MOSFET的输入电容的充放电过程。当Cgs达到门槛电压后MOSFET就会进入开通状态。当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区。但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。

图为出现米勒效应后的充放电曲线

这也就可以理解为什么米勒效应在MOS驱动中让无数工程师们头痛不已了。它是由MOS管的米勒电容引发的，在MOS管开通过程中，当GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压又开始上升直至完全导通。米勒会严重增加MOS的开通损耗，并造成MOS管不能很快得进入开关状态，所以此时也就会出现所谓的图腾驱动。因此，在选择MOS时Cgd越小开通损耗就越小，然而该效应却不可能完全消失，只有尽可能的进行消除和削弱。

以上就是本文对MOS栅极驱动过程中米勒效应的危害所进行的简要分析，希望能够帮助工程师更加充分的进行不良效应的规避和消除。